microSiliconXはdiodePの後継となるシリコン半導体検出器です。新開発シールドにより、microSilicon Xは小照射野から大照射野まで、高い空間分解能での測定を可能にします。その優れた空間分解能により、半影領域を含めて非常に正確なビームプロファイル測定が可能です。

エネルギー依存性、線量直線性、温度依存性、線量率特性（Dose/Pulse）および擾乱の影響が従来のDiodePから大幅に改善され、ユーザーはより確かなビームデータ測定を行うことが可能になります。さらに新たに開発された水等価のシールドによってmicroSiliconXの計測値は、多くの条件でより水等価なものになりました。